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Sn-eneQDs的Cdl值为0.327mFcm–2，信息高于SnNPs、SnO2NSs和SnS2NSs(0.252、0.159和0.118mFcm–2)，这可能表明其电化学活性位点的数量最多。此外，披露从SAED图中可以推断SnFe-PBA-NSs沿[001]方向生长，说明纳米片生长过程趋向暴露(001)晶面。

开发具有高催化活性(工业级电流密度≥200mAcm−2)、海南选择性和稳定性的电催化剂是实现该技术的关键。

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